WNSC101200Q-HXY

WNSC101200Q-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），适用于高电压、中等电流的功率应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.39V，相较于传统硅器件具有更低的导通损耗。得益于碳化硅材料的优异特性，该二极管具备出色的开关性能，反向恢复电荷极小，可显著减少开关过程中的能量损耗。适用于高频率、高效率的电源转换电路，如通信电源、可再生能源逆变系统及高密度DC-DC转换器，有助于提升系统能效并减小散热设计负担。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

WNSC101200Q-HXY

商品编号

C51896387

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

2.888克(g)