VS-3C20ET07T-M3-HXY

VS-3C20ET07T-M3-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式器件，具备20A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率应用。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，有效降低导通损耗，提升整体能效。基于碳化硅材料的优异特性，该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力，可显著减少开关损耗。适用于高频率、高效率的电源转换设计，如服务器电源、通信电源模块、可再生能源发电系统的逆变电路以及高密度适配器，有助于提高系统功率密度并改善热管理性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

VS-3C20ET07T-M3-HXY

商品编号

C51896400

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)