WNSC08650T6J-HXY

WNSC08650T6J-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）为1.42V，有助于降低导通损耗，提升能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高温工作能力与开关速度，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于各类电力变换装置中，如开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路，可有效提升系统整体效率与功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

WNSC08650T6J-HXY

商品编号

C51896380

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)