WNSC08650T6J-HXY

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描述: 该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）为1.42V，有助于降低导通损耗，提升能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高温工作能力与开关速度，适用于高频率、高效率的电源转换场景。广泛用于各类电力变换装置中，如开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路，可有效提升系统整体效率与功率密度。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: WNSC08650T6J-HXY
商品编号: C51896380
商品封装: DFN-5B(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数