BSDH10G120E2-HXY

BSDH10G120E2-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）低至1.39V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的特性，支持高频开关操作，同时降低反向恢复电荷，适用于对效率和热管理有严苛要求的电源转换场合，如高密度开关电源、太阳能逆变系统及高压直流转换模块，能够有效简化散热设计并提升系统可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSDH10G120E2-HXY

商品编号

C51896370

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.108克(g)