C6D08065Q-TR-HXY

C6D08065Q-TR-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在额定工况下正向压降（VF）仅为1.3V。基于碳化硅材料的物理特性，器件具有极低的反向恢复电荷和出色的高温稳定性，支持高频开关操作。其低导通损耗与快速恢复特性使其适用于高效能电源转换系统，如服务器电源、通信设备供电单元、可再生能源逆变装置及高功率密度适配器等，有助于提升系统能效、减少热耗散并简化散热设计，满足对可靠性和功率密度有较高要求的电力电子应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C6D08065Q-TR-HXY

商品编号

C51896342

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)