NXPSC066506Q-HXY

NXPSC066506Q-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备6A的平均正向整流电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向导通压降为1.36V，具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料特性，器件表现出优异的高温稳定性、快速开关能力及极低的反向恢复电荷，适用于高频、高效率的电力转换应用。可广泛用于服务器电源、通信电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器中，有效提升系统能效并减小热管理设计压力。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NXPSC066506Q-HXY

商品编号

C51896349

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.2克(g)