C6D10065Q-TR-HXY

C6D10065Q-TR-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式器件，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）低至1.37V。采用碳化硅材料，具有优异的热稳定性和高频开关特性，反向恢复时间极短，漏电流小。该器件适用于高密度电源系统，如高效能电源适配器、服务器电源模块及可再生能源逆变装置，能够在高温与高频环境下保持稳定运行，有效降低系统能量损耗，提升转换效率，同时有助于减小外围无源元件的体积与整体散热需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C6D10065Q-TR-HXY

商品编号

C51896354

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)