FFSM0865B-HXY

FFSM0865B-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备8A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复电压（VR），适用于中等功率电压等级的电路设计。其正向导通压降（VF）典型值为1.42V，有助于降低导通损耗，提高能效表现。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温稳定性和快速开关能力，反向恢复特性理想，适用于高频开关电源、通信电源模块、光伏逆变系统及高密度直流变换装置等应用场景，能够满足对效率、尺寸和热性能有较高要求的电力电子系统设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FFSM0865B-HXY

商品编号

C51896356

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)