E4D02120E-TR-HXY

E4D02120E-TR-HXY

描述

该款碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）可达1200V，正向压降（VF）典型值为1.36V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度，器件具备优异的耐压能力与较低的导通损耗，同时具有极短的反向恢复时间，适用于高电压、高频率的开关电源环境。典型应用包括高压电源模块、大功率DC-DC转换器、不间断电源系统及光伏逆变器中的功率整流单元，有助于提升系统能效并减少散热设计复杂度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

E4D02120E-TR-HXY

商品编号

C51896348

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)