S4D10120F-HXY

S4D10120F-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复耐压（VR）达1200V，适用于高电压应用环境。其正向导通压降为1.39V（VF），在同类器件中具有较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高温工作能力与快速开关响应，反向恢复特性理想，可减少开关损耗。典型应用涵盖高压直流电源、高效能逆变系统、不间断电源模块以及高密度开关电源设计，适用于对热性能和转换效率有较高要求的电力电子装置。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

S4D10120F-HXY

商品编号

C51896344

商品封装

TO-220F-2L​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)