WNSC04650T6J-HXY

WNSC04650T6J-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高效能电力转换中表现出色。其正向导通压降（VF）低至1.4V，有助于减少导通损耗，提升系统整体效率。器件利用碳化硅材料的优异特性，支持高频工作，反向恢复时间极短，适用于高密度电源设计。典型应用场景包括开关模式电源、服务器电源单元、可再生能源逆变装置及高效率DC-DC转换器，适合对热性能和空间布局有严格要求的紧凑型电子设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

WNSC04650T6J-HXY

商品编号

C51896321

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)