C6D06065G-TR-HXY

高频开关碳化硅肖特基二极管

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中等功率电力转换应用。其正向导通压降（VF）低至1.36V，有效降低导通损耗，提升能效。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温稳定性与快速开关响应能力，反向恢复时间短，适用于高频工作环境。该产品可应用于高效开关电源、直流电源转换模块及对散热性能要求较高的电子设备中，独立封装设计便于集成与热管理，适合追求高功率密度与长期运行可靠性的电路架构。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C6D06065G-TR-HXY

商品编号

C51896335

商品封装

TO-263​

包装方式

编带

商品毛重

1.99克(g)