FFSB0665A-HXY

碳化硅肖特基二极管，适用于高频开关应用，具有零反向恢复电流和温度无关开关特性

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）可达650V，适用于中高压功率电路。其典型正向导通压降（VF）为1.36V，较传统硅器件更低，有助于降低导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料特性，具备快速开关响应和优异的高温工作稳定性，可有效减少能量损耗并提高电源转换效率。器件封装便于集成于紧凑型电源系统，适用于高频率直流变换、高效电源模块及对功率密度要求较高的电力电子应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FFSB0665A-HXY

商品编号

C51896332

商品封装

TO-263​

包装方式

编带

商品毛重

1.99克(g)