IDH06G65C6-HXY
IDH06G65C6-HXY
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- 描述
- 该碳化硅二极管为单体结构,额定正向电流(IF)为6A,反向重复峰值电压(VR)达650V,正向导通压降(VF)为1.36V。得益于碳化硅半导体材料的特性,器件具备极短的反向恢复时间与极低的开关损耗,支持高频开关操作。其高温稳定性良好,可在较高结温下持续工作。适用于高效率电源转换电路,如大功率开关电源模块、光伏并网逆变装置、高密度DC-DC变换器以及高性能不间断电源系统,有助于提升整体能效并减小系统体积。
- 商品型号
- IDH06G65C6-HXY
- 商品编号
- C51896323
- 商品封装
- TO-220C-2L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 1个独立式 | |
| 整流电流 | 22.3A | |
| 正向压降(Vf) | 1.7V@6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 50uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 66A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
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