IDH06G65C6-HXY

IDH06G65C6-HXY

描述

该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为6A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向导通压降（VF）为1.36V。得益于碳化硅半导体材料的特性，器件具备极短的反向恢复时间与极低的开关损耗，支持高频开关操作。其高温稳定性良好，可在较高结温下持续工作。适用于高效率电源转换电路，如大功率开关电源模块、光伏并网逆变装置、高密度DC-DC变换器以及高性能不间断电源系统，有助于提升整体能效并减小系统体积。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IDH06G65C6-HXY

商品编号

C51896323

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.2克(g)