C4D02120A-HXY

碳化硅肖特基二极管，零反向恢复电流，零正向恢复电压，高频操作，温度无关开关行为

描述

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，反向重复峰值电压（VR）达1200V，适用于高电压、中低电流的功率转换场合。其正向压降（VF）典型值为1.36V，导通损耗较低，有助于提升能效。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的反向恢复能力，开关速度快，反向恢复电荷小，适用于高频工作环境。可广泛用于高效开关电源、高压直流转换模块、可再生能源发电系统的逆变单元以及高可靠性不间断电源设备中，支持在高温与高电压应力条件下稳定运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C4D02120A-HXY

商品编号

C51896319

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.2克(g)