S3D06065I-HXY

S3D06065I-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率转换环境。其正向导通压降（VF）典型值为1.36V，显著低于传统硅基二极管，可有效减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的高温工作性能和快速反向恢复能力，支持高频开关应用。常用于高效率电源模块、通信电源、可再生能源逆变系统及紧凑型适配器等对热管理与电气性能有严苛要求的电子设备中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

S3D06065I-HXY

商品编号

C51896244

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.2克(g)