S3D06065I-HXY

碳化硅肖特基二极管，具有零反向恢复电流和高频操作特性

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描述: 该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高压功率转换环境。其正向导通压降（VF）典型值为1.36V，显著低于传统硅基二极管，可有效减少导通损耗，提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的高温工作性能和快速反向恢复能力，支持高频开关应用。常用于高效率电源模块、通信电源、可再生能源逆变系统及紧凑型适配器等对热管理与电气性能有严苛要求的电子设备中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: S3D06065I-HXY
商品编号: C51896244
商品封装: TO-220C-2L
包装方式: 管装
商品毛重: 3.2克(g)

商品参数

用单极型整流器替代双极型整流器，本质上无开关损耗，可实现更高效率，减少散热器需求，并允许器件并联而不会发生热失控。该产品不适用于需要极高可靠性的应用，例如生命支持系统或其他故障可能造成严重物理和/或物质损坏的应用。