S3D08065E-HXY

S3D08065E-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.4V，有助于提升能效并减少热损耗。其基于碳化硅材料的特性，支持高频开关操作，反向恢复时间极短，适用于高效率电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器以及高密度电源模块，适合对散热性能和空间布局有较高要求的高性能电子设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

S3D08065E-HXY

商品编号

C51896309

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.39克(g)