IDH06G65C5XKSA2-HXY

IDH06G65C5XKSA2-HXY

描述

该碳化硅二极管为独立式器件，具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），适用于中高功率电力电子系统。其正向导通压降（VF）为1.36V，相较于传统硅器件具有更低的导通损耗，有助于提升能效。基于碳化硅材料的特性，该二极管具备优异的高温稳定性和快速开关能力，可有效支持高频工作条件。典型应用涵盖高效开关电源、光伏逆变单元、不间断电源模块以及高密度功率因数校正电路，适用于对系统效率与功率密度有较高要求的电力转换场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IDH06G65C5XKSA2-HXY

商品编号

C51896311

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.2克(g)