C6D08065E-TR-HXY

C6D08065E-TR-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中高电压功率转换应用。其正向导通压降（VF）为1.4V，具备较低的导通损耗，有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性，器件具有优异的高温工作能力和快速开关性能，可支持高频运行。独立封装设计便于电路集成与热管理，适用于高效率开关电源、储能系统、通信电源及可再生能源发电设备中的整流与续流环节，满足对功率密度、转换效率和长期稳定性有较高要求的电力电子场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C6D08065E-TR-HXY

商品编号

C51896303

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.39克(g)