S3D08065L-HXY

S3D08065L-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降低至1.42V。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的开关性能和高温工作能力，反向恢复时间极短，可有效降低系统开关损耗。其封装设计有利于散热与电路集成，适用于高频率、高效率的电力转换场合，如开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等场景，有助于提升整体能效与系统可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

S3D08065L-HXY

商品编号

C51896307

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)