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WPM2065-6/TR实物图
  • WPM2065-6/TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WPM2065-6/TR

WPM2065-6/TR

品牌名称
WILLSEMI(韦尔)
商品型号
WPM2065-6/TR
商品编号
C506095
商品封装
DFN-6L(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.9A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@4.5V,6.9A
耗散功率(Pd)1.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))450mV
栅极电荷量(Qg)23nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.026nF
反向传输电容(Crss)201pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

WPM2065是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM2065无铅且无卤。

商品特性

  • 沟槽技术
  • 超高密度单元设计
  • 出色的导通电阻,适用于更高的直流电流
  • 极低的阈值电压
  • 人体模型(HBM)静电放电保护 > 4kV
  • 小封装DFN2X2-6L

应用领域

  • 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器-DC-DC转换器电路-电源开关-负载开关-充电

数据手册PDF