温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WPM3020-3/TR
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WPM3020 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM3020-3/TR
- 商品编号
- C506231
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@2.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF |
商品概述
WPM3020是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM3020是无铅的。
商品特性
~~- 沟槽技术-超高密度单元设计-出色的导通电阻-极低的阈值电压-小封装SOT-23
应用领域
- DC/DC转换器-电源转换器电路-便携式设备的负载/电源开关