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WPM3401-3/TR
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.6A
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- 描述
- WPM3401 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM3401-3/TR
- 商品编号
- C506235
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@4.5V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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