温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WNM01N10-3/TR
100V 1.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N-Channel增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅且无卤。
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM01N10-3/TR
- 商品编号
- C506233
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 255mΩ@4.5V,1.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WNM01N10是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM01N10无铅且无卤。
商品特性
~~- 沟槽技术-超高密度单元设计-出色的导通电阻,可承受更高直流电流-小封装SOT-23
应用领域
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器-DC-DC转换电路-电源开关-负载开关-充电
相似推荐
其他推荐