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WCM2079-8/TR
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- WCM2079 是一款将 N 沟道和 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管封装于一体的产品，适用于 DC-DC 转换器或电平转换应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。标准产品 WCM2079 无铅且无卤
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WCM2079-8/TR
- 商品编号
- C506226
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.189克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V；28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 429pF@15V；1.109nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF@15V；140pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF；167pF |
商品概述
WCM2079是一款将N沟道和P沟道增强型MOS场效应晶体管封装于一体的产品，适用于DC-DC转换器或电平转换应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(on)。标准产品WCM2079无铅且无卤。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- SOP-8L封装
应用领域
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关