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KPY6115A
150V 10A
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- 描述
- 特性：先进的高单元密度沟槽技术。 低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低栅极电荷，实现快速开关。 低热阻。 100%雪崩测试。 100% DVDS测试。应用：MB/VGA Vcore。 SMPS 2nd同步整流器
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KPY6115A
- 商品编号
- C49328615
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.109nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 408pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 513pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压 = 30 V，漏极电流 = 12 A，栅源电压 = 10 V时，漏源导通电阻 < 8 mΩ（典型值：6.5 mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻
- 出色的封装，散热良好