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KNY3004B
120A，40V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽技术。 导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS）为10V时，典型值为2.4mΩ。 超低栅极电荷。 有环保型产品可供选择。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%进行ΔVds测试。 100%进行UIS测试
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNY3004B
- 商品编号
- C49328623
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 415pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- RDS(ON) = 2.4 mΩ（典型值）@ VGS = 10V
- 超低栅极电荷
- 提供环保型产品
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%进行ΔVds测试
- 100%进行UIS测试