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KCT012N10N
采用先进MOS技术的低导通电阻MOS管
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- 描述
- 特性：使用先进的MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（品质因数FOM）。 通过JEDEC标准认证。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KCT012N10N
- 商品编号
- C49328631
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 431W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.93nF |
商品概述
NX3008NBK,215(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 NX3008NBK,215(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 采用Geener先进MOS技术
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 出色的 Qg x RDS(on) 乘积(品质因数FOM)
- 符合JEDEC标准
应用领域
-电机控制与驱动-电池管理-不间断电源(UPS)
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