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KCT050N08N
低导通电阻、优异FOM值的MOS管
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- 描述
- 特性：使用先进的MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积(POM)。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KCT050N08N
- 商品编号
- C49328632
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9095克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.086nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.057nF |
优惠活动
购买数量
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