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KCT017N10N
使用先进MOS技术，具备低导通电阻和高电流承载能力的MOS管
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- 描述
- 特性：使用Geener先进的MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（POM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KCT017N10N
- 商品编号
- C49328633
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8892克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 259A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 176nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.36nF |
商品特性
- 采用Geener先进MOS技术
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的Qg x RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）
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