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KCT040N10N
采用先进MOS技术的低导通电阻MOS管
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- 描述
- 特性：使用先进的MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KCT040N10N
- 商品编号
- C49328630
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.892克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 172A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.772nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 952pF |
商品特性
- 采用Geener先进MOS技术
- 极低导通电阻RDS(on)
- 出色的Qg x RDS(on)乘积(品质因数)
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源(UPS)