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KND3080
N沟道 30V 80A
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- 描述
- 特性：N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET。 RDS(ON) = 4.3mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 Super Low Gate Charge。 Green Device Available。 Excellent CdV/dt effect decline。 100% ΔVds TESTED。 100% UIS TESTED
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KND3080
- 商品编号
- C49328624
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48704克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 188pF |
商品特性
- N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET
- RDS(ON) = 4.3 mΩ(典型值)@ VGS = 10V
- 超低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%进行ΔVds测试
- 100%进行UIS测试