商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 570pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 580pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 在VGS = 10 V(DFN5*6封装)条件下,RDS(ON) = 2.0 mΩ(典型值)
- 在VGS = 10 V(TO - 252、TO - 263、TO - 220封装)条件下,RDS(ON) = 2.5 mΩ(典型值)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理