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KCY2704B
160A，40V N沟道快速开关功率MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的SGT技术。 导通电阻RDS(ON) = 1.5 mΩ（典型值），VGS = 10 V。 超低栅极电荷。 提供环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KCY2704B
- 商品编号
- C49328619
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 111W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.57nF |
商品特性
- 先进SGT技术
- RDS(ON) = 1.5 mΩ(典型值)@ VGS = 10V
- 超低栅极电荷
- 提供环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100% ΔVds测试
- 100% UIS测试