商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 143W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.75nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 先进SGT技术
- RDS(ON) = 1.05 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100% ΔVds测试
- 100% UIS测试