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KNB3004A
N沟道 40V 120A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽技术。 RDS(ON)=3.8mΩ（典型值）@VGS = 10V。 超低栅极电荷。 有环保器件可选。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNB3004A
- 商品编号
- C49328621
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.868克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
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(800个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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