温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
KPD6115A
150V 10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：先进的高单元密度沟槽技术。 低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低栅极电荷，实现快速开关。 低热阻。 100%雪崩测试。 100% DVDS测试。应用：MB/VGA Vcore。 SMPS 2nd同步整流器
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KPD6115A
- 商品编号
- C49328616
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.109nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 408pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 513pF |
商品概述
TPN2R703NL,L1Q(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品TPN2R703NL,L1Q(ES)为无铅产品。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器