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CJK8804
1个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 静电保护栅极。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJK8804
- 商品编号
- C504114
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.3mΩ@2.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 扩展温度范围：结温（Tj） = 175℃
- 可侧面焊锡浸润，便于光学焊锡检查
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装：2 × 2 × 0.65 mm
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路