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CJQ14SN06
1个N沟道 耐压:60V 电流:14A
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- 描述
- CJQ14SN06采用屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJQ14SN06
- 商品编号
- C504130
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.634nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
总价金额：
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