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CJQ60P05实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJQ60P05

1个P沟道 耐压:60V 电流:5A

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描述
CJQ60P05采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
商品型号
CJQ60P05
商品编号
C504137
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))58mΩ@10V,5A
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)1.45nF@20V
反向传输电容(Crss)110pF@20V
工作温度-

商品特性

  • 低栅极电荷Qg,降低驱动要求
  • 增强栅极、雪崩和动态dV/dt耐受性
  • 全面表征电容、雪崩电压和电流
  • 低反向恢复时间trr和软二极管恢复特性
  • 符合RoHS指令2002/95/EC

应用领域

  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源
  • 高速功率开关
  • 零电压开关(ZVS)和高频电路
  • PWM逆变器

数据手册PDF