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CJS8804实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJS8804

2个N沟道 耐压:20V 电流:8A

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描述
CJS8804采用先进的沟槽技术,具有出色的导通电阻Rps(on)和低栅极电荷,具备静电放电(ESD)保护功能。该器件采用共漏极配置,适用于作为单向或双向负载开关。
商品型号
CJS8804
商品编号
C504160
商品封装
TSSOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.176克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))9.8mΩ@10V,8A
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)17.9nC
输入电容(Ciss)1.8nF
反向传输电容(Crss)200pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CJS8804采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件具备ESD保护功能。凭借其共漏极配置,此器件适用于作为单向或双向负载开关。

数据手册PDF