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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJQ9926

1个N沟道 耐压:20V 电流:4.8A

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商品型号
CJQ9926
商品编号
C504170
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.191克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.8A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))600mV
栅极电荷量(Qg)20nC@4.5V
输入电容(Ciss)640pF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-

商品特性

  • 先进沟槽工艺技术
  • 用于超低导通电阻的高密度单元设计
  • 高功率和大电流处理能力

应用领域

  • 锂电池组应用

数据手册PDF