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CJCD2005
1个N沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJCD2005
- 商品编号
- C504182
- 商品封装
- DFNWB-6-EP(3x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
CJCD2005采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件具备静电放电（ESD）保护功能。凭借其共漏极配置，此器件适用于用作单向或双向负载开关。