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CJAE2002
2个N沟道 耐压:18V 电流:15A
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- 描述
- CJAE2002采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，具备静电放电（ESD）保护功能。该器件采用共漏极配置，适用于作为单向或双向负载开关。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJAE2002
- 商品编号
- C504185
- 商品封装
- TDFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.97nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 285pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CJAE2002采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，具备ESD保护功能。该器件采用共漏极配置，适用于作为单向或双向负载开关。