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CJBM3020实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJBM3020

2个N沟道 耐压:30V 电流:20A

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商品型号
CJBM3020
商品编号
C504188
商品封装
DFNWB-8-EP(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.146克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))11.5mΩ@4.5V,10A
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)823pF@15V
反向传输电容(Crss)100pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
配置-

商品概述

CJBM3020采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 电池开关
  • 负载开关
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻(RDS(ON))
  • 雪崩电压和电流特性完整
  • 高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
  • 散热性能出色的封装
  • 具备高静电放电(ESD)能力的特殊工艺技术

应用领域

  • 开关电源(SMPS)及通用应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF