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CJBD3020实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJBD3020

2个N沟道 耐压:30V 电流:20A

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描述
CJBD3020采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品型号
CJBD3020
商品编号
C504189
商品封装
PDFNWB-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.114克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)823pF@15V
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-
配置-
类型-
输出电容(Coss)-

商品概述

CJBD3020采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用。

商品特性

  • 电池开关
  • 负载开关
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用优秀封装,散热性能良好
  • 特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力

应用领域

  • 开关模式电源和通用应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF