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CJMPD08
1个P沟道 耐压:12V 电流:3.6A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻，同时具有低栅极电荷。适用于DC-DC转换应用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJMPD08
- 商品编号
- C504175
- 商品封装
- DFNWB-6L-A(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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