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CJMPD08实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJMPD08

1个P沟道 耐压:12V 电流:3.6A

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描述
使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻,同时具有低栅极电荷。适用于DC-DC转换应用。
商品型号
CJMPD08
商品编号
C504175
商品封装
DFNWB-6L-A(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)700mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))400mV
栅极电荷量(Qg)7.2nC@4.5V
输入电容(Ciss)480pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CJMPD08采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(on)。该器件适用于DC-DC转换应用。

商品特性

  • 低外形,便于在薄型环境中安装
  • 共源配置实现双向电流流动

应用领域

  • 优化用于便携式设备的电池和负载管理应用
  • 锂离子电池充电和保护电路
  • 便携式电池供电产品的高功率管理
  • 高端负载开关

数据手册PDF