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CJCD2004
2个N沟道 耐压:20V 电流:10A
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- 描述
- CJCD2004采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它具备静电放电（ESD）保护功能。该器件采用共漏极配置，适用于用作单向或双向负载开关
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJCD2004
- 商品编号
- C504181
- 商品封装
- DFNWB2x3-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CJCD2004采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件具备静电放电（ESD）保护功能。凭借其共漏极配置，此器件适合用作单向或双向负载开关。