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2N7002V实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2N7002V

1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA

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描述
特性:双N沟道MOSFET。 低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
商品型号
2N7002V
商品编号
C504145
商品封装
SOT-563​
包装方式
编带
商品毛重
0.026克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115mA
导通电阻(RDS(on))3Ω@5V,50mA
属性参数值
耗散功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)50pF
反向传输电容(Crss)5pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 双N沟道MOSFET
  • 低导通电阻
  • 低栅极阈值电压
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出泄漏电流

应用领域

  • 便携式设备的负载开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF