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CJX3439K
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
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- 描述
- 特性：表面贴装封装。 低导通电阻RDS(on)。 可在低逻辑电平栅极驱动下工作。 栅极具备ESD保护。 封装内包含一个N沟道和一个P沟道MOSFET（相互独立）。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJX3439K
- 商品编号
- C504143
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V；270mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF；13pF |
商品概述
NCEP065N10GU采用了超级沟槽II技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（R_DS(ON)）和栅极电荷（Q_g）的极低组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 表面贴装封装
- 低 RDS(导通电阻)
- 低逻辑电平栅极驱动下工作
- 栅极具备静电放电保护
- 封装内包含一个 N 沟道 CJ3134K 和一个 P 沟道 CJ3139K(相互独立)
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换